Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu

Diody oraz elementy w pełni sterowalne wykonywane w technologii węglika krzemu to nowe produkty jakie pojawiły się w ofercie firmy Dacpol. Węglik krzemu (SiC) jest materiałem, który dzięki swoim cechom pozwala wytwarzać przyrządy półprzewodnikowe o atrakcyjnych cechach z punktu widzenia energoelektroniki. W porównaniu z klasycznymi elementami krzemowymi półprzewodniki SiC charakteryzująsięwysokąodpornościąna przepięcia, wysokątemperaturąpracy, niskąrezystancją w stanie przewodzenia oraz możliwością ograniczenia gabarytów elementu bez utraty zdolności blokowania napięcia.

Diody Schottky’ego, które są w danym momencie najbardziej rozpowszechnionymi elementami SiC charakteryzująsiębardzo krótkim czasem wyłączania t_rr oraz niskim poziomem ładunku przejściowego. Powyższe cechy powoduję, że zastosowanie tych elementów jako diody zwrotne oraz zerowe ogranicza straty przekształtnika oraz pozwala na podniesienie częstotliwości jego pracy.
Podobnie zastosowanie elementów w pełni sterowalnych takich jak tranzystory JFET oraz BJT pozwala ograniczyć straty mocy przekształtnika, podwyższyćtemperaturęoraz częstotliwośćjego pracy. Dzięki temu możemy zbudowaćkompleksowe urządzenie charakteryzujące się małymi gabarytami (między innymi dzięki ograniczeniu rozmiarów układu chłodzenia oraz redukcji zastosowanych elementów biernych), wysokimi gęstościami mocy oraz wysoką jakością energii wejściowej oraz wyjściowej.

Półprzewodniki wykonane w technologii węglika krzemu znajdująszerokie zastosowanie w aplikacjach, gdzie jest wymagany wysoki poziom niezawodności, sprawności oraz trudne warunki środowiskowe:
• Falowniki o wysokich częstotliwościach pracy
• Przekształtniki współpracujące z ogniwami fotowoltaicznymi
• Układy korekcji współczynnika mocy
• Wysokotemperaturowe przetwornice DC/DC oraz AC/DC
• UPS
• Układy rezonansowe
• Napędy elektryczne

Typ	VDS [V]	ID /Tj [A/°C]		RDS(ON) [Ω]	Rodzaj	Obudowa
SJEP120R100	1200	17 / 125	12 / 175	0,1	Normalnie wyłączony	TO-247
SJEP170R550	1700	4 / 125	3 / 175	0,55	Normalnie wyłączony	TO-247
SJEP120R063	1200	30 / 125	20 / 175	0,063	Normalnie wyłączony	TO-247
SJDP120R085	1200	52 / 100	43 / 150	0,085	Normalnie wyłączony	TO-247
SJEN120R025*	1200	68 / 100	46 / 150	0,025	Normalnie wyłączony	SOT-227

*element w fazie przygotowania: dostępny będzie od 3 kwartału 2011

Typ	VDS [V]	ID/Tj [A/°C]		QC [nC]	Konfiguracja	Obudowa
SDA05S120	1200	12 / 100	8 / 145	35	1	TO-220
SDA10S120	1200	21 / 100	10 / 145	64	1	TO-220
SDP30S120	1200	45,8 / 100	30 / 130	194	1	TO-247
SDP10S120D	1200	10 / 100	6 / 145	35	2	TO-247
SDP20S120D	1200	18 / 100	20 / 145	129	2	TO-247

Konifiguracja 1	Konifiguracja 2
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA05S120	Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA10S120
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP10S120D	Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP20S120D

Typ	VDS [V]	IF/Tj [A/°C]	VCE(SAT) [V]	RON(SAT) [mΩ]	Tj(max) [°C]	Obudowa
BT1206AC-P1	1200	6 / 25	0,75	125	175	TO-247
BT1220AC-P1	1200	20 / 25	0,75	38	175	TO-247
BT1206AB-P1	1200	45,8 / 25	1	167	250	TO-258
BT1220AB-P1	1200	20 / 25	1	50	250	TO-258

Wykonanie standardowe	Wykonanie wysokotemperaturowe